Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BU508AFI
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BU508AFI . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 34W; Ucb: 1500V; Uce: 700V; Ueb: -; Ic: 8A; Tj: 150°C; Ft: 3MHz; Cc: 125; Hfe: 5MIN Производитель: CDIL Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
