Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BUS12A
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BUS12A . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 125W; Ucb: 850V; Uce: 400V; Ueb: 9V; Ic: 8A; Tj: 200°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 30T Производитель: CDIL Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
