Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BUS12A

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора BUS12A . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.


Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 125W; Ucb: 850V; Uce: 400V; Ueb: 9V; Ic: 8A; Tj: 200°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 30T
Производитель: CDIL
Сфера применения: Power, High Voltage, General Purpose




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора BUS12A
Аналоги транзистора BUS12A


Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.


А может
сделать комплимент?
Rambler's Top100   Яндекс цитирования