Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора FA1F4M
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора FA1F4M . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 200mW; Ucb: 60V; Uce: 50V; Ueb: 10V; Ic: 100mA; Tj: 150°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 60MIN Производитель: N/A Сфера применения: Low Power, Switching, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
