Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора GSTU8040I
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора GSTU8040I . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 150W; Ucb: 450V; Uce: 400V; Ueb: -; Ic: 12A; Tj: 175°C; Ft: 25MHz; Cc: -; Hfe: 10MIN Производитель: N/A Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru