Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора HEPS7000
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора HEPS7000 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 200W; Ucb: 80V; Uce: 80V; Ueb: -; Ic: 25A; Tj: 175°C; Ft: 4MHz; Cc: -; Hfe: 40MIN Производитель: CDIL Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
