Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора HSE125
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора HSE125 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 800mW; Ucb: 60V; Uce: 40V; Ueb: -; Ic: 150mA; Tj: 150°C; Ft: 30MHz; Cc: -; Hfe: 30MIN Производитель: CDIL Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
