Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ3122Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ3122Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 150mW; Ucb: 35V; Uce: -; Ueb: -; Ic: 100mA; Tj: 175°C; Ft: -; Cc: 7; Hfe: 60MIN Производитель: Россия Сфера применения: RF, Low power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
