Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ805ВМ
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ805ВМ . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 30W; Ucb: -; Uce: 60V; Ueb: 5V; Ic: 5A; Tj: 150°C; Ft: 20MHz; Cc: -; Hfe: 15MIN Производитель: Россия Сфера применения: Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
