Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8110В
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8110В . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 60W; Ucb: 500V; Uce: 350V; Ueb: 5V; Ic: 7A; Tj: 150°C; Ft: 20MHz; Cc: -; Hfe: 15/30 Производитель: Россия Сфера применения: Darlington, Power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
