Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8120А

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8120А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 60W; Ucb: 600V; Uce: 450V; Ueb: 5V; Ic: 8A; Tj: 150°C; Ft: 20MHz; Cc: -; Hfe: 10MIN
Производитель: Россия
Сфера применения: Power, Switching, General Purpose




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ8120А
Аналоги транзистора КТ8120А




Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых




Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



А может
сделать комплимент?
Rambler's Top100   Яндекс цитирования