Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8138Е
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8138Е . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 60W; Ucb: 400V; Uce: 200V; Ueb: 6V; Ic: 7A; Tj: 150°C; Ft: 10MHz; Cc: -; Hfe: 10MIN Производитель: Россия Сфера применения: Power, Switching, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
