Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8158В
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора КТ8158В . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 125W; Ucb: 100V; Uce: -; Ueb: 5V; Ic: 12A; Tj: 150°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 2500MIN Производитель: Россия Сфера применения: Power, Darlington
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
