Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора МП101Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора МП101Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 100mW; Ucb: 20V; Uce: 20V; Ueb: 20V; Ic: 100mA; Tj: 100°C; Ft: 500KHz; Cc: 150; Hfe: 15/45 Производитель: Россия Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
