Справочные характеристики биполярного низкочастотного n-p-n транзистора МП113А
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного n-p-n транзистора МП113А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 150mW; Ucb: 10V; Uce: 10V; Ueb: 5V; Ic: 100mA; Tj: 120°C; Ft: 1.2MHz; Cc: 170; Hfe: 35/105 Производитель: Россия Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
