Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора CJD350
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора CJD350 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 15W; Ucb: 300V; Uce: 300V; Ueb: -; Ic: 500mA; Tj: 150°C; Ft: -; Cc: -; Hfe: 30/240 Производитель: CENTRAL Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru