Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора HEPS5006
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора HEPS5006 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 40W; Ucb: 80V; Uce: 80V; Ueb: -; Ic: 4A; Tj: 140°C; Ft: 2MHz; Cc: -; Hfe: 60MIN Производитель: CDIL Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru