Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора OC81DM
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора OC81DM . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 125mW; Ucb: 16V; Uce: 16V; Ueb: 3V; Ic: 10mA; Tj: 80°C; Ft: 400KHz; Cc: 40; Hfe: 20MIN Производитель: N/A Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru