Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ122Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ122Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 150mW; Ucb: 20V; Uce: 20V; Ueb: -; Ic: 20mA; Tj: 90°C; Ft: 1MHz; Cc: -; Hfe: 15/45 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
