Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ124В
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ124В . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 75mW; Ucb: 25V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 100mA; Tj: 90°C; Ft: 1MHz; Cc: -; Hfe: 71/162 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
