Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ402В
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ402В . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 600mW; Ucb: -; Uce: 40V; Ueb: -; Ic: 500mA; Tj: 85°C; Ft: 1MHz; Cc: -; Hfe: 30/80 Производитель: Россия Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru