Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ705Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ705Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 15W; Ucb: -; Uce: 20V; Ueb: -; Ic: 3.5A; Tj: 85°C; Ft: 10KHz; Cc: -; Hfe: 50/100 Производитель: Россия Сфера применения: Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
