Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ906АМ
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора ГТ906АМ . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 15W; Ucb: 75V; Uce: 75V; Ueb: 1.4V; Ic: 10A; Tj: 85°C; Ft: 30MHz; Cc: -; Hfe: 20/50 Производитель: Россия Сфера применения: Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
