Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ209К
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ209К . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 200mW; Ucb: 60V; Uce: 60V; Ueb: 20V; Ic: 300mA; Tj: 175°C; Ft: 5MHz; Cc: 50; Hfe: 80/240 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru