Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ8115Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ8115Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 65W; Ucb: 80V; Uce: -; Ueb: 5V; Ic: 8A; Tj: 150°C; Ft: 4MHz; Cc: -; Hfe: 1000 Производитель: Россия Сфера применения: Power, Darlington
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
