Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ835А
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ835А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 6.2W; Ucb: 30V; Uce: -; Ueb: 4V; Ic: 3A; Tj: 175°C; Ft: 1MHz; Cc: -; Hfe: 25MIN Производитель: Россия Сфера применения: Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
