Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ837Д
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ837Д . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 30W; Ucb: 60V; Uce: -; Ueb: 15V; Ic: 7.5A; Tj: 150°C; Ft: 1MHz; Cc: -; Hfe: 20MIN Производитель: Россия Сфера применения: Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
