Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ880А
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ880А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 5W; Ucb: 100V; Uce: 100V; Ueb: 4.5V; Ic: 2A; Tj: 150°C; Ft: 30MHz; Cc: 200; Hfe: 80/250 Производитель: Россия Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
