Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ888А

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора КТ888А . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.


Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 7W; Ucb: 900V; Uce: 900V; Ueb: 5V; Ic: 100mA; Tj: 150°C; Ft: 15MHz; Cc: -; Hfe: 30/120
Производитель: Россия
Сфера применения: Low Power, Switching, General Purpose




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ888А
Аналоги транзистора КТ888А


Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.


Rambler's Top100   Яндекс цитирования