Справочные характеристики биполярного низкочастотного p-n-p транзистора МП115

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного низкочастотного p-n-p транзистора МП115 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 150mW; Ucb: 30V; Uce: -; Ueb: 10V; Ic: 50mA; Tj: 120°C; Ft: 100KHz; Cc: -; Hfe: 9/45
Производитель: Россия
Сфера применения: -




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора МП115
Аналоги транзистора МП115




Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых




Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



А может
сделать комплимент?
Rambler's Top100   Яндекс цитирования