Справочные характеристики биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора D1666
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора D1666 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 200mW; Ucb: 30V; Uce: 12V; Ueb: -; Ic: 25mA; Tj: 175°C; Ft: 500MHz; Cc: 1.5; Hfe: 20MIN Производитель: N/A Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
