Справочные характеристики биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора ГТ383Б

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора ГТ383Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 25mW; Ucb: 5V; Uce: 5V; Ueb: -; Ic: 10mA; Tj: 90°C; Ft: 1.5GHz; Cc: 1; Hfe: 10/250
Производитель: Россия
Сфера применения: Low Power High Frequency




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора ГТ383Б
Аналоги транзистора ГТ383Б




Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых




Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



А может
сделать комплимент?
Rambler's Top100   Яндекс цитирования