Справочные характеристики биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора КТ306БМ

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора КТ306БМ . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.


Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: npn
Pc: 150mW; Ucb: 15V; Uce: 10V; Ueb: 4V; Ic: 30mA; Tj: 175°C; Ft: 500MHz; Cc: 5; Hfe: 40/120
Производитель: Россия
Сфера применения: Low Power, RF, General Purpose




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ306БМ
Аналоги транзистора КТ306БМ


Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.


Rambler's Top100   Яндекс цитирования