Справочные характеристики биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора КТ306БМ
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного сверхвысокочастотного n-p-n транзистора КТ306БМ . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 150mW; Ucb: 15V; Uce: 10V; Ueb: 4V; Ic: 30mA; Tj: 175°C; Ft: 500MHz; Cc: 5; Hfe: 40/120 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power, RF, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru