Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора A159B
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора A159B . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 300mW; Ucb: 30V; Uce: 20V; Ueb: 5V; Ic: 100mA; Tj: 175°C; Ft: 150MHz; Cc: 5; Hfe: 240MIN Производитель: AMP Сфера применения: Low Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
