Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора CZT5551
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора CZT5551 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 2W; Ucb: 180V; Uce: 160V; Ueb: 6V; Ic: 50mA; Tj: 150°C; Ft: 100MHz; Cc: 6; Hfe: 80/250 Производитель: CENTRAL Сфера применения: High Voltage
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
