Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора D10G1051
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора D10G1051 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 500mW; Ucb: -; Uce: 15V; Ueb: 1V; Ic: 50mA; Tj: 150°C; Ft: 130MHz; Cc: 4; Hfe: 40MIN Производитель: N/A Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru