Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора D11C1057
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора D11C1057 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 100mW; Ucb: 45V; Uce: 25V; Ueb: 10V; Ic: 50mA; Tj: 125°C; Ft: 50MHz; Cc: 20; Hfe: 30MIN Производитель: N/A Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru