Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ3102Е
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ3102Е . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 250mW; Ucb: 20V; Uce: -; Ueb: 5V; Ic: 100mA; Tj: 150°C; Ft: 300MHz; Cc: 6; Hfe: 400/1000 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power, RF, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
