Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ315Д, kt315d
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ315Д, kt315d . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 150mW; Ucb: 40V; Uce: 40V; Ueb: 6V; Ic: 100mA; Tj: 120°C; Ft: 250MHz; Cc: 7; Hfe: 20/90 Производитель: Россия Сфера применения: RF, Low power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
