Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ339ГМ
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ339ГМ . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 260mW; Ucb: 40V; Uce: 25V; Ueb: 4V; Ic: 25mA; Tj: 175°C; Ft: 250MHz; Cc: 2; Hfe: 25MIN Производитель: Россия Сфера применения: RF, Low power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
