Справочные характеристики биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ602Г
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного n-p-n транзистора КТ602Г . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: npn Pc: 2.8W; Ucb: 80V; Uce: 70V; Ueb: 5V; Ic: 75mA; Tj: 150°C; Ft: 150MHz; Cc: 4; Hfe: 50MIN Производитель: Россия Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
