Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора 2N2709

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора 2N2709 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 240mW; Ucb: 50V; Uce: 35V; Ueb: -; Ic: 50mA; Tj: 160°C; Ft: 200MHz; Cc: 110; Hfe: 10/22
Производитель: AMP
Сфера применения: Low Power, Low Noise, General Purpose


Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора 2N2709
Аналоги транзистора 2N2709



Содержание справочника транзисторов

Главная

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n

Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



Top.Mail.Ru Яндекс цитирования