Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора CIL231

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора CIL231 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.


Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 200mW; Ucb: 40V; Uce: 40V; Ueb: -; Ic: 100mA; Tj: 175°C; Ft: 100MHz; Cc: 6; Hfe: 50MIN
Производитель: CDIL
Сфера применения: -




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора CIL231
Аналоги транзистора CIL231


Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.


Rambler's Top100   Яндекс цитирования