Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора CZ581
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора CZ581 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 400mW; Ucb: 40V; Uce: 30V; Ueb: -; Ic: 500mA; Tj: 175°C; Ft: 100MHz; Cc: 10; Hfe: 150MIN Производитель: CENTRAL Сфера применения: -
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru