Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора HS5811
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора HS5811 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 500mW; Ucb: 35V; Uce: 25V; Ueb: 5V; Ic: 750mA; Tj: 135°C; Ft: 100MHz; Cc: 15; Hfe: 45MIN Производитель: CDIL Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
