Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора ГТ322Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора ГТ322Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Германий Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 50mW; Ucb: 25V; Uce: 25V; Ueb: -; Ic: 10mA; Tj: 80°C; Ft: 80MHz; Cc: 1.8; Hfe: 50/120 Производитель: Россия Сфера применения: Low Power High Frequency
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
