Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ313Г-1
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ313Г-1 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 300mW; Ucb: 30V; Uce: 30V; Ueb: 5V; Ic: 350mA; Tj: 150°C; Ft: 200MHz; Cc: 12; Hfe: 400/800 Производитель: Россия Сфера применения: RF, Low power
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
