Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ313Г-1

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ313Г-1 . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.


Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 300mW; Ucb: 30V; Uce: 30V; Ueb: 5V; Ic: 350mA; Tj: 150°C; Ft: 200MHz; Cc: 12; Hfe: 400/800
Производитель: Россия
Сфера применения: RF, Low power




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ313Г-1
Аналоги транзистора КТ313Г-1


Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.


Rambler's Top100   Яндекс цитирования