Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ321Е

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ321Е . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 210mW; Ucb: 45V; Uce: -; Ueb: 4V; Ic: 200mA; Tj: 150°C; Ft: 60MHz; Cc: 80; Hfe: 80/200
Производитель: Россия
Сфера применения: RF, Low power


Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ321Е
Аналоги транзистора КТ321Е



Содержание справочника транзисторов

Главная

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n

Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p

Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n

Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n

Характеристики транзисторов полевых



Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.



Top.Mail.Ru Яндекс цитирования