Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ361Б

Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ361Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.



Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний
Структура полупроводникового перехода: pnp
Pc: 150mW; Ucb: 20V; Uce: 20V; Ueb: 4V; Ic: 50mA; Tj: 120°C; Ft: 250MHz; Cc: 9; Hfe: 50/350
Производитель: Россия
Сфера применения: RF, Low power




Информация о местах продажи, ценах, производителях и схемах транзистора КТ361Б
Аналоги транзистора КТ361Б




Содержание справочника транзисторов

Главная
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных низкочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных высокочастотных p-n-p
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных n-p-n
Характеристики транзисторов биполярных сверхвысокочастотных p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p
Характеристики сборок биполярных транзисторов n-p-n
Характеристики сборок биполярных транзисторов p-n-p и n-p-n
Характеристики транзисторов полевых




Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru

Спасибо за сотрудничество.




А может
сделать комплимент?
Rambler's Top100   Яндекс цитирования