Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ620Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ620Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 500mW; Ucb: 50V; Uce: 50V; Ueb: 4V; Ic: 400mA; Tj: 150°C; Ft: 200MHz; Cc: -; Hfe: 30/100 Производитель: Россия Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
