Справочные характеристики биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ639Б
Данная страница содержит справочную информацию о характеристиках биполярного высокочастотного p-n-p транзистора КТ639Б . Дана подробная информация о характеристиках, схемах, параметрах, ценах, местах продажи и производителях, а так же описаны аналоги зарубежных производителей.
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: Кремний Структура полупроводникового перехода: pnp Pc: 1W; Ucb: 45V; Uce: 45V; Ueb: 5V; Ic: 1.5A; Tj: 200°C; Ft: 80MHz; Cc: 50; Hfe: 63/160 Производитель: Россия Сфера применения: Medium Power, General Purpose
Мы надеемся, что сайт будет полезен опытным и начинающим радиолюбителям , конструкторам и всем тем, кому интересны данные сведения о транзисторах.
Если Вы заметили ошибку, просим известить нас по адресу tranzistor @ kolossale . ru
